Въведение в областите на приложение на полупроводниците

Полупроводниците се използват в интегрални схеми, потребителска електроника, комуникационни системи, фотоволтаично производство на енергия, приложения за осветление, преобразуване на мощност с висока мощност и други области.
Фотоволтаични приложения
Фотоволтаичният ефект на полупроводниковите материали е основният принцип зад работата на слънчевите клетки. На този етап фотоволтаичното приложение на полупроводникови материали се превърна в гореща тема и в момента е най-бързо развиващият се и най-добре развит пазар на чиста енергия в света. Основният материал на слънчевите клетки е полупроводников материал. Основният критерий за оценка на качеството на слънчевите клетки е коефициентът на фотоелектрическо преобразуване. Колкото по-висок е коефициентът на фотоелектрическо преобразуване, толкова по-висока е работната ефективност на слънчевата клетка. Според различните използвани полупроводникови материали слънчевите клетки се разделят на кристални силициеви слънчеви клетки, тънкослойни клетки и III-V комбинирани клетки.
Приложения за осветление
LED е полупроводников диод, излъчващ светлина, изграден върху полупроводников транзистор. Полупроводниковият източник на светлина, използващ LED технология, е малък по размер и може да бъде опакован плоско. Той генерира ниска топлина по време на работа, е енергоспестяващ и ефективен, има дълъг живот на продукта, бърза скорост на реакция, е екологичен и без замърсяване, а също така може. Разработен е в лек, тънък и къс продукт. След като се появи, той бързо стана популярен и се превърна в ново поколение висококачествени източници на осветление. Сега се използва широко в живота ни. Има приложения в различни области като светофари, източници на фоново осветление за електронни продукти, източници на светлина за разкрасяване на градски нощни сцени и вътрешно осветление.
Преобразуване на мощност с висока мощност
Взаимното преобразуване на променлив и постоянен ток е много важно за използването на електрически уреди и е необходима защита за електрическите уреди. Това изисква използването на други устройства за преобразуване на енергия. Силициевият карбид има високо напрежение на пробив, широк обхват и висока топлопроводимост. Следователно, SiC полупроводниковите устройства са много подходящи за приложения в ситуации с висока плътност на мощността и честота на превключване. Устройствата за преобразуване на енергия са едно от тях. Отличното представяне на компонентите от силициев карбид при висока температура, високо налягане и висока честота ги направи широко използвани при дълбоко сондиране на кладенци, инвертори в устройства за генериране на електроенергия, преобразуватели на енергия в електрически хибридни превозни средства, преобразуване на тяга на леки влакове и други области. Поради предимствата на самия SiC и настоящото търсене на леки полупроводникови материали с висока ефективност на преобразуване, SiC ще замени Si и ще се превърне в най-широко използвания полупроводников материал.